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              型號:

              瀏覽量:657

              產品簡介: 1.該設備爐管可360度旋轉,管內壁有石英擋片幫助粉料翻轉有助于燒結得更均勻; 2.可左右大角度傾斜,方便出放料,傾斜角度在0~35°之間。 3、廣泛應用于電池正負極材料,無強酸堿性粉體材料,顆粒狀物料。 4、可在真空下或氣氛保護下進行燒制。
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            • BTF-1200C-II-PECVDCVD系統
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              更新時間:2021-10-22

              型號:BTF-1200C-II-PECVD

              瀏覽量:714

              CVD系統是借助于輝光放電等方法產生等離子體,輝光放電等離子體中:電子密度高109-1012cm3電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍,使含有薄膜組成的氣態物質發生化學反應,從而實現薄膜材料生長的一種新的制備技術。通過反應氣態放電,有效地利用了非平衡等離子體的反應特征,從根本上改變了反應體系的能量供給方式,低溫熱等離子體化學氣相沉積法具有氣相法的所有優點,工藝流程簡單。
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            • BTF-1200C-HV高真空自動循環設備
              BTF-1200C-HV高真空自動循環設備

              更新時間:2021-09-28

              型號:BTF-1200C-HV

              瀏覽量:768

              BTF-1200C-HV高真空自動循環設備內外雙熱電偶控制,內熱電偶制動,使用者可以設定設備循環溫度點,可根據內熱電偶測得的溫度制動,推動爐管進出加熱腔體,整個實驗過程可自動控制無需人工干涉。
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            • 碳納米管
              碳納米管

              更新時間:2021-10-14

              型號:

              瀏覽量:868

              流化床—粉體碳納米管生長設備通過流量計和靜態混氣室把氣體均勻混拌,通過上通氣,氣體通過雙層管(夾層管預熱氣體,內腔體生長碳納米管)確保通入的氣體進入生長腔體內溫度一直,通過多空陶瓷網的結構設計,從而解決均勻進氣的問題。使的生長腔體熱場流場穩定,確保得到高質量重復性好的碳納米管。
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            • 復合氧化物氫分離膜制備用CVD設備
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              更新時間:2021-09-27

              型號:

              瀏覽量:660

              復合氧化物氫分離膜制備用CVD設備,可以實現在多孔氧化鋁陶瓷管和陶瓷片上化學沉積上氧化物(SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2)和復合氧化物(Al2O3-SiO2、SiO2-TiO2、SiO2- ZrO2)氫分離膜。
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              更新時間:2021-09-27

              型號:BTF-1200C-II-SL-210

              瀏覽量:636

              雙爐膛滑動CVD控制系統操作時可將實驗需要的恒定高溫直接推到樣品處,使樣品能得到一個快速的升溫速度,同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處,使樣品直接暴露在室溫環境下,得到快速的降溫速率。
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              更新時間:2021-09-27

              型號:BTF-1200C-II-R-CVD

              瀏覽量:652

              連續進出料回轉CVD生長設備爐管可360°旋轉,有助于粉料的燒結更均勻,可大角度傾斜,方便進出料,傾斜角度在0-35°之間。
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            • BTF-1200C-II-SL大三溫區滑軌CVD系統(低真空、高真空環境)
              BTF-1200C-II-SL大三溫區滑軌CVD系統(低真空、高真空環境)

              更新時間:2021-09-27

              型號:BTF-1200C-II-SL

              瀏覽量:575

              BTF-1200C-III-SL-4ZL大三溫區滑軌CVD系統(低真空、高真空環境)控溫方式:模糊PID控制和自整定調節,智能化30段可編程控制,具有超溫和斷偶報警功能.
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